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赛普拉斯是领先的同步、 快速异步、 低功耗异步和非易失性SRAM、 多端口 解决方案和FIFO产品的领先供应商。 一直以来, 赛普拉斯承诺为您提供创新、 可靠的存储产品, 满足您的需求。 我们长期致力于保有最多样化的产品、 进行产品开发、 延续产品寿命, 使“最先进的技术”成为赛普拉斯区别于其他供应商而被客户选择的重要原因。 无论您的应用是什么――从手持终端到网络设备――赛普拉斯多样化的存储器产品都能满足您的需求。 这些产品包括微功耗、 快速异步、 同步和非易失性SRAM, 以及多端口 、 FIFO和串行EEPROM存储器。 在一个不断有产品退出市场的时代, 赛普拉斯能为您提供长期的支持和信心。

特性

ASYNCHRONOUS SRAM
SRAM
普拉斯快速异SRAM 品的容量从4Kb 64Mb 不等。 些器件基于普拉斯的高性能CMOS 制造工 可提供快速访问时间(8-1 2ns) 使其成机和路由器、 IP 电话 测试设备 DSLAM 卡和汽车电品等用的理想选择

超低功耗SRAM
普拉斯 micropower SRAM 品的容量从64Kb 64Mb 不等。 Micropower SRAM 器件基于高效90 米加工技制造而成, 并具有行业领先的待机功耗(最大格。 些特性使得它为许域中高性能、 池供池支持解决方案的理想选择
主要 疗设备 PLC 费类应用和POS

双端口 SRAM
普拉斯的高密度双端口 器件是理器通信的理想解决方案, 适用于从蜂基站直到设备的广泛工业应用。l  密度: 8 Kb 36 Mb
l  电压选项: 5 3 3 1 8 1 5 V
l  工作模式: 同步和异步架构
l  总线宽度: x8 x9 x1 6 x1 8 x36 x72 配置
l  特色功能: 可变阻抗匹配 (VIM) 固定访问控制 (DAC) 单倍数据速率 (SDR) 模式、 反馈时钟、 可选 I/O 标准以及高达 200 MHz 的速度
主要 通信、 事、 航空、 医学成像、 费电

FIFOS
普拉斯的高性能 FIFO 流控制、 速率匹配和总线匹配等互连问题提供了理想的解决方案。
具有可程功能的高密度 FIFOS
普拉斯的高性能 FIFO (如视频 数据和信、 /路由) 提供了针对连问题(如流控制、 速率匹配和总线匹配) 的理想解决方案。
高容量先先出 (First In First Out, FIFO) 解决方案具有可程功能, 可以视频广播、 事、 成像和基站等各域的需求。 内可提供的最 大高清 FIFO 器容量 1 8 Mb 36 Mb 72 Mb 1 44 Mb 选择的存组织为 x9 x1 8 x36(网 x1 2 x1 6 x20 x24 x32 解决方案具有最高达 1 50-MHz 时钟 向运行, 并具有适用于列工作模式的用选择部件及用选择 LVCMOS/HSTL/LVTTL 入和出。 根据客要求和功能可以提供的部件行各种组合。 普拉斯的高性能 FIFO 流控制、 速率匹配和总线匹配等互联问题 供了理想的解决方案。
主要 高清格式的帧缓冲区(720p 1 080i 1 080p HDTV/SDTV 机或格式转换盒、 安防系统视频缓冲、 用雷达 的大容量冲和医成像。

MoBL 双端口
普拉斯提供了各高性能和低功耗的内部理器通信 (IPC) 解决方案。 些互可在各不同用中实现多个理器之 IPC MoBL 双端口 系列专门针对费电子和手持设备进行了化。
ConsuMoBL 双端口
ConsuMoBL™ 双端口 高性能、 低功耗、 小封装、 最佳价格; 费电子市的四个要素
当今消费类电品市所面的挑是提供 DVR 三网合一和点播视频等新服 在特性和功能方面的提高已使系级为具有特定于 用的不同元, 又必共享数据。 ConsuMoBL 双端口 提供了化的 IPC 使设计师可以建可实现设计周期短的模平台。

MoBL™ ADM 双端口
MoBL Dual-Port™ MoBL ADM Dual-Port™ — 小巧、 功耗低并且灵活; 是移动电话的理想之更新更快的无线标准(WCDMA TD-SCDMA LTE WiMax 等) 以及多媒体(用程序、 视频等) 的越来越多的使用需要在移动电话 尤其是智能电话中使用双理器架构。 普拉斯的 MoBL 双端口 系列实现界的最低功耗, 最快吐量以
及最佳大小, 可在基用程 理器之间实现 IPC

非易失性SRAM
普拉斯 nvSRAM 采用经过时间检验的技世界上最快的非易失性 SRAM 借助巧妙的架构, 器件在一个存储单元中采用了一个 非易失位对应于一个高速SRAM 位的机制。 准工作模式下, 器件完全像准高速 SRAM 工作, 可以松与有微理器和微控制 器的接。 源中断或 检测情况, 并利用小容中的存能量, 在一次快速矩写操作中将一个 SRAM 位保存到非 易失位中(用不到 1 3 ms 源恢后, 会自 一个元中行从非易失位到 SRAM 位的用, 从而可在源循环过程中实现 的非易失能力。
普拉斯提供了两个系列的 nvSRAM 器件。 需要高速访问能力和并行接口 的客可以选择 64 K- 8 M 密度范的并行 nvSRAM 器件。 于需要低 I/O 串行接口 设计 高速 SPI 接口 的串行 nvSRAM 器件将是理想选择 器件型都有 RTC 件。
主要 / 控制、 事和数据通

QUADPORT DSE SRAMS
QuadPortTM 数据通路转换元素 (Datapath Switching Element, DSE) 系列提供了四个独立的端口 些端口 可以同时访问 64 K x 1 8 位数据存 列, 并且在不同的
域下运行。 个端口 可以按 1 33 MHz 的速度取或写入数据, 器件提供最高 1 0 Gbps 数据吐量(带宽
QuadPort DSE 用:
·QuadPort DSE 可用于各种应用, 例如:
·2 x 2 换缓冲区
·
数据聚合、 数据冗余数据包操作有助于从数据通路中去掉花很高的现场门阵 (FPGA)

SRAM
普拉斯既是传统领导者, 也是当代高速SRAM 的佼佼者。 可提供完整系列的准同SRAM NoBL (总线) SRAM 以及由QDR/DDR SRAM 盟定QDR (四倍数据率) 品容量从1 Mb 1 44Mb 不等, 采用SRAM 用包括网 通信、 算、 高速视频 表和事等多个域。 CY 可提供最广泛的合, 包括数百个具有不同速率、 总线宽度和JEDEC 准封装的存器。 因使用行业标准的引脚出, 普拉斯高速SRAM 易于集成到新设计设计中。

DDR-II+ Xtreme
DDRTMII+ SRAM - Xtreme
DDR-II+ Xtreme SRAM 然与DDR-II+ SRAM 在操作方面相似, 但是, 它在速度和随机事务处理速率方面有巨大的性能提升。 DDR-II+ Xtreme SRAM 与之前的DDR-II+ SRAM
在封装、 形状和功能上完全兼容, 因此, 机、 路由器和集成平台制造商需提高系内部时钟速度, 就可以提高系性能, 而无需改任何路板设计 品采用
业标准的1 65 FBGA 封装, 且客可以选择采用可ODT端匹配) DDR-II+ Xtreme 品。
特性:
l  633 MHz 时钟, 可实现高带宽(每秒9 亿处理速度)
l  2 字突发, 可降低地址总线频率
l  双数据速率(DDR) 接口 (数据传输速率1 266 MHz 工作频率633 MHz
l  x1 8 x36 的总线宽度
l  2.5 时钟周期延迟
l  片内终端匹配(ODT) 技术
l  内核VDD = 1 .8 V ± 0.1 V VDDQ = 1 .4 V - 1 .6 V
l  支持1 .5 V 的输入/输出电源
l  HSTL 输入和驱动能力可调的HSTL 输出缓冲器
l  无铅封装可供选择
l  JTAG 1 1 49.1 兼容测试端口
l  数据有效引脚(QVLD) 表示输

NoBL
在需要行写读转换用中, 准同 SRAM 的性能会受到限制。 NoBL™ 生, 正是了在用(例如网 中增加带宽 从而使繁的写读转换可能。

QDR
QDR™ SRAM 是高性能的 SRAM 架构, 适用于那些要求数据速率超 250 MHz 的高速无线和网络应用。
QDR-II 器件采用了附加源同时钟 使更高的工作率成可能。 些更高率是通一个片上延迟锁 DLL 实现的。
QDR-II+ 的速度最高可以达到 QDR-II 1 5 倍, 并且支持 2 周期和 2 5 周期的

QDR-II+ Xtreme
全球SRAM 先者正来世界上最快速且最高效的QDRTM SRAM 普拉斯QDR II+ Xtreme SRAM 运行率高达633 MHz 从而可以实现下一代高速网和通信用。 普拉斯的Xtreme 系列QDR II+ DDR II+ 器件与有的QDR II+ 系列器件在封装、 形状和功能上完全兼容, 因此, 机、 路由器和集成平台制造商需提高系内部时钟
速度, 就可以提高系性能, 而无需改任何路板设计
特性
l  4 字突发(Burst) 操作633 MHz 时钟频率(每秒6.33 亿处理速度)
l  2 字突发(Burst) 操作450 MHz 时钟频率(每秒9 亿处理速度)
l  最大带宽1 1 .4 GB/s
l  x1 8 x36 的总线宽度
l  2.5 时钟周期延迟
l  片内终端匹配(ODT) 技术
l  内核VDD = 1 .8 V ± 0.1 V VDDQ = 1 .4 V - 1 .6 V
l  支持1 .5 V 的输入/输出电源
l  HSTL 输入和驱动能力可调的HSTL 输出缓冲器
l  无铅封装可供选择
l  JTAG 1 1 49.1 兼容测试

准同SRAM
系列化的写序列。 些静器可以双一个典型的快速异SRAM的在同一用程序的性能。 准同SRAM在三个不同的口味来: 流水线单周期取消, 流水线双循取消选择 和流通。