《MSP430系列FLASH型超低功耗16位单片机》
P92 WDTCTL的位定义中，CNTCL误写为CNCTT。
《MSP430系列单片机接口技术及系统设计实例》
*P1 125us改为125ns
*P3 F123 A/D转换器类型 ADC10应改为slope。
*P5 第19行及P14第14行，ksps误写为kbps错误。
*P46 倒数第六行0FFFA改为0FFFEA
*P47 倒数第六行0FFFA改为0FFFEA
*P47 表2.6中倒数第五行0FFE4改为0FFE8A。
*P47 表2.7中倒数第五行0FFE4改为0FFE8A。
*P80 第5行、第9行“取消”改为“取反”
*P85 第8行、第11行BIT #Mask，0SP改为BIT #Mask，0(SP)
*P87 倒数第二行PC应指向0FA32H
*P155 第10行：MCLK系统主时钟应改为：SMCLK子系统时钟
*P280 的LCD Pinout列中，有一个2e误写为de错误。
*P319 第14行：ROP应改为：POP R9
《MSP430系列16位超低功耗单片机原理与应用》
1、P4：从下往上的第16行，最大约为25mA，应改为6mA
2、P4：冲下往上的第15行，200Kb/s，应改为200Ksps
3、P7、从上往下的第8行，闪速微控制器，应改为“FLASH微控制器”
4、P11、关于X11X系列的超低功耗说明中
5、P11、3uA @4KHz，2.2V
6、P11、250uA @1KHz，2.2V应改为160uA @1KHz，2.2V;
7、P11、等待方式0.8uA应改为0.7uA;
8、P11、从等待方式唤醒时间6uS，应改为小于6us;
9、P13：从下往上地3格，P2.3/TA1的说明中捕获CCI1B输入应该删除
10、P14：从下往上地24行，3uA @4KHz，2.2V
11、P14：从下往上第19行，从等待方式唤醒时间6uS，应改为小于6us;
12、P17：从上往下第2行，2.5uA @4KHz，2.2V
13、P17：从上往下第7行，从等待方式唤醒时间6uS，应改为小于6us;
P17：从上往下第14行，12位200Kbps应改为200Ksps;
14、P19：P2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，CCI1B输入，比较：OUT1输出
改为P2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，比较：OUT1输出
15、P20：从下往上第5行，从等待方式唤醒时间6uS，应改为小于6us;
16、P21：从上往下第3行，12位200Kbps应改为200Ksps
17、P22：P2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，CCI1B输入，比较：OUT1输出
改为P2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，比较：OUT1输出
18、P24：活动模式330uA @1KHz，2.2V应改为：280uA @1KHz，2.2V;
待机模式1.1uA；应改为1.6uA
关闭模式（RAM保持）：0.2uA应改为0.1uA;
19、P30：从上往下第7行，
220uA @1MHz，2.2V应改为：200uA@1MHz，2.2V;
20、P30：从上往下第13行，150ns指令周期应改为125ns
21、P33：从下往上第12行，150ns指令周期应改为125ns
22、P33：从下往上第11行，最好分开写，因为TIMER_B有3或7个捕获/比较寄存器
23、P37：从下往上第8行，最好分开写，因为TIMER_B有3或7个捕获/比较寄存器
24、P45：中间表格的引导存储器（FLASH）的FLASH应改为ROM
25、P123：从下往上第7行，只有“工作于高频模式才需要外接电容”应改为“工作于高频模式时一定需要外接电容”
26、P130：对于XT2OFF
0关闭XT2应改为打开XT2
1打开XT2应改为关闭XT2
27、P139：中间的最大约25mA应改为6mA
28、P233：中间的图发送缓冲器“UxRXBUF”应改为“UxTXBUF”
29、P234：中间的图发送缓冲器“UxRXBUF”应改为“UxTXBUF”
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